ULVAC-爱发科

VCSEL加工技术

介绍VCSEL工艺所需的干法蚀刻技术。

用于VCSEL的GaAs等Ⅲ-V族化合物半导体的刻蚀使用氯类气体，AlGaAs/GaAs多层膜采用反应性主体的条件，因此难以控制形状和晶圆面内分布。此外，在化合物半导体的刻蚀中，仅凭工艺条件很难同时实现形状和晶圆面内分布控制。

因此，在NE干法刻蚀设备中，天线结构采用ISM（Inductively Super Magnetron）方式。使用ISM方式的天线可以优化等离子体分布，GaAs晶圆的刻蚀面内分布可以获得3%以下的非常均匀的分布。实际的外延结构的形状分布在面内也得到了均匀的形状。

关于Mesa的深度控制，通过使用IEP（Interferometry End Point）系统，可以高精度地控制刻蚀的深度。可以掌握使用本系统得到的表示干扰波形的包含DBR层在内的层叠构造被刻蚀的情况，一边监视波形，一边计数DBR对数，可以在任意深度停止刻蚀。