ULVAC-爱发科

面向BAW器件的成膜/加工技术

压电薄膜成膜（溅射）

Performance of Piezoelectric layre (Sc)AlN

压电薄膜（ScAlN）刻蚀

最小基底电极挖掘量、高刻蚀率、長時間免维护

电极以及压电薄膜（AlN）刻蚀

不只是ScAlN材料、BAW process 其他材料也有刻蚀量产实绩

背面Via刻蚀

Notch产生的原因 (1)阳离子向底部SiO2表面入射 (2)SiO2表面正charge up (3)阳离子继续入射正charge up的SiO2表面，但是(4)由于SiO2表面对正电荷的排斥作用，入射轨道横向弯曲 (5)与侧壁碰撞并在那里发生刻蚀反应，形成Notch。
⇒为防止此种情况的发生，将脉冲电源引入下电极以缓解充电。另外，我们使用TSV技术，Non-Bosch etching可以实现Taper control（锥度控制）和高Aspect Ratio（深宽比）。

Contact电极成膜（Evaporation）

兼顾量产和lift off

沟槽构造功率器件制造工艺

TC-SAW器件制造工艺