ULVAC

Think Beyond Vacuum

ULVAC

Think Beyond Vacuum

面向GaN HEMT构造的成膜/加工技术

绝缘膜(SiN)加工Etching

 

低损伤刻蚀对于仅去除SiN非常重要。可以执行 SiN 刻蚀,同时执行终点检测并保持蚀刻速度。

S/D(Metal)加工Etching

ULVAC 提供电极膜溅射和电极形成刻蚀两种工艺。

VIA(Si or SiC)形成Etching

ULVAC的刻蚀设备对Si、SiC均可高速率刻蚀。

溅射(Seed Cu成膜)

ULVAC的Degas➡氧化膜去除刻蚀➡通过持续地进行种子层沉积,可以实现高附着性。