ULVAC
Think Beyond Vacuum
低损伤刻蚀对于仅去除SiN非常重要。可以执行 SiN 刻蚀,同时执行终点检测并保持蚀刻速度。
ULVAC 提供电极膜溅射和电极形成刻蚀两种工艺。
ULVAC的刻蚀设备对Si、SiC均可高速率刻蚀。
ULVAC的Degas氧化膜去除刻蚀通过持续地进行种子层沉积,可以实现高附着性。
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