ULVAC-爱发科

压电MEMS的制造工艺

近年来MEMS器件技术不断进化，成为各种传感器、执行器不可或缺的存在。其中压电材料的使用能够为MEMS的小型化、高性能化做出贡献，因而备受期待。我们以在压电材料中具有优秀压电特性的PZT为例，介绍压电MEMS的制造工艺和必要的技术。

	1. 压电元件的形成通过用贵金属电极夹持数μm的铁电体，形成压电元件。ULVAC 提供的溅射设备可稳定沉积世界最高水平的 PZT 溅射膜。（CMOS上成膜对应：PZT成膜温度 <500°C）搭载多腔室，可成膜PZT full stack（上下电极+PZT）。 PZT低温溅射工艺介绍 Multi-chamber型溅射设备介绍
	2. 上部电极Pt/PZT刻蚀涂布resist mask。通过干法刻蚀，刻蚀上部电极和PZT，进行元件分离。提供与作为下部电极的Pt具有高选择性的Pt/PZT刻蚀工艺。（选择比例：PZT/Pt＞5@8inch, ＞10@6inch） PZT刻蚀工艺介绍干法刻蚀设备介绍
	3. 下部电极Pt刻蚀涂布resist mask。通过干法刻蚀将下部电极元件分离。由于底部电极下的材料没有过度削减，所以实现了高均匀性和精密的端点检测。（分布<3%@8inch） PZT刻蚀工艺介绍干法刻蚀设备介绍
	4. 保护膜形成通过CVD形成SiO2的保护膜。
	5. 引出电极蚀刻SiO2以引出电极部分。
	6. 中空形状形成背面的硅干法刻蚀，形成可动部分。

	1. 压电元件的形成通过用贵金属电极夹持数μm的铁电体，形成压电元件。ULVAC 提供的溅射设备可稳定沉积世界最高水平的 PZT 溅射膜。（CMOS上成膜对应：PZT成膜温度 <500°C）搭载多腔室，可成膜PZT full stack（上下电极+PZT）。 PZT低温溅射工艺介绍 Multi-chamber型溅射设备介绍
	2. 上部电极Pt/PZT刻蚀涂布resist mask。通过干法刻蚀，刻蚀上部电极和PZT，进行元件分离。提供与作为下部电极的Pt具有高选择性的Pt/PZT刻蚀工艺。（选择比例：PZT/Pt＞5@8inch, ＞10@6inch） PZT刻蚀工艺介绍干法刻蚀设备介绍
	3. 下部电极Pt刻蚀涂布resist mask。通过干法刻蚀将下部电极元件分离。由于底部电极下的材料没有过度削减，所以实现了高均匀性和精密的端点检测。（分布<3%@8inch） PZT刻蚀工艺介绍干法刻蚀设备介绍
	4. 保护膜形成通过CVD形成SiO2的保护膜。
	5. 引出电极蚀刻SiO2以引出电极部分。
	6. 中空形状形成背面的硅干法刻蚀，形成可动部分。