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Think Beyond Vacuum
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SiC沟槽刻蚀
沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻，我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。
challenge
沟槽形状的控制
在高耐压应用中，为了避免电解集中，沟槽结构底部需要圆形
低刻蚀速率
SiC坚硬，是化学特性稳定的材料，很难实现高刻蚀速率
与SiO2掩膜的选择比
和SiO2掩膜的选择比低的话，需要厚的SiO2掩膜
解决方案
实现平滑的侧壁和圆形底部
优化刻蚀条件以控制沟槽形状
700nm/min以上的刻蚀速率
实现高选择比
实现侧壁平滑度和高选择比的工艺
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